PHB33NQ20T,118
Код товару: 183809
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Корпус: TO-263-3
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 32 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 65 мОм
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції PHB33NQ20T,118 за ціною від 53.93 грн до 60.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PHB33NQ20T,118 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 200V 32.7A D2PAK Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
PHB33NQ20T,118 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 200V 32.7A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
 |
PHB33NQ20T,118 | Nexperia |
MOSFETs PHB33NQ20T/SOT404/D2PAK |
на замовлення 1941 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
 |
PHB33NQ20T,118 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PHB33NQ20T,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 32.7 A, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
|
PHB33NQ20T,118 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PHB33NQ20T,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 32.7 A, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| PHB33NQ20T,118 |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 32.7A D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Description: MOSFET N-CH 200V 32.7A D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 60.43 грн |
| 1600+ | 53.93 грн |
| PHB33NQ20T,118 |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 32.7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 200V 32.7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PHB33NQ20T,118 |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs PHB33NQ20T/SOT404/D2PAK
MOSFETs PHB33NQ20T/SOT404/D2PAK
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PHB33NQ20T,118 |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PHB33NQ20T,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 32.7 A, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PHB33NQ20T,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 32.7 A, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PHB33NQ20T,118 |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PHB33NQ20T,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 32.7 A, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PHB33NQ20T,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 32.7 A, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)