PHB33NQ20T,118

PHB33NQ20T,118 Nexperia USA Inc.


PHB33NQ20T.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 32.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V
на замовлення 5600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+70.52 грн
1600+62.94 грн
2400+60.41 грн
4000+55.46 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PHB33NQ20T,118 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PHB33NQ20T,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 32.7 A, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PHB33NQ20T,118 за ціною від 57.29 грн до 184.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PHB33NQ20T,118 PHB33NQ20T,118 Виробник : NEXPERIA PHB33NQ20T.pdf Description: NEXPERIA - PHB33NQ20T,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 32.7 A, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+89.36 грн
250+81.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PHB33NQ20T,118 PHB33NQ20T,118 Виробник : Nexperia PHB33NQ20T-2938404.pdf MOSFETs PHB33NQ20T/SOT404/D2PAK
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.55 грн
10+123.53 грн
100+85.04 грн
800+61.17 грн
2400+58.11 грн
4800+57.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PHB33NQ20T,118 PHB33NQ20T,118 Виробник : NEXPERIA PHB33NQ20T.pdf Description: NEXPERIA - PHB33NQ20T,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 32.7 A, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+184.93 грн
10+136.40 грн
50+116.31 грн
100+89.36 грн
250+81.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PHB33NQ20T,118 PHB33NQ20T,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PHB33NQ20T.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 32.7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB33NQ20T,118 PHB33NQ20T,118 Виробник : NEXPERIA 2121292308920530phb33nq20t.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 32.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB33NQ20T,118 PHB33NQ20T,118
Код товару: 183809
Додати до обраних Обраний товар

PHB33NQ20T.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-263-3
Uds,V: 200 V
Idd,A: 32 A
Rds(on), Ohm: 65 mOhm
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHB33NQ20T,118 PHB33NQ20T,118 Виробник : Nexperia 2121292308920530phb33nq20t.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 32.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.