Продукція > NEXPERIA USA INC. > PHB45NQ10T,118
PHB45NQ10T,118

PHB45NQ10T,118 Nexperia USA Inc.

PHB45NQ10T.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+188.53 грн
10+117.03 грн
100+80.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PHB45NQ10T,118 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: D2PAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V.

Інші пропозиції PHB45NQ10T,118

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PHB45NQ10T,118 PHB45NQ10T,118 Nexperia USA Inc. PHB45NQ10T.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB45NQ10T,118 PHB45NQ10T,118 Nexperia PHB45NQ10T.pdf MOSFETs N-channel TrenchMOS standard level FET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB45NQ10T,118 PHB45NQ10T.pdf
PHB45NQ10T,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB45NQ10T,118 PHB45NQ10T.pdf
PHB45NQ10T,118
Виробник: Nexperia
MOSFETs N-channel TrenchMOS standard level FET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.