PHB45NQ15T,118

PHB45NQ15T,118 Nexperia USA Inc.


PHB45NQ15T.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 150V 45.1A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+70.64 грн
1600+ 57.72 грн
2400+ 54.83 грн
5600+ 49.52 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PHB45NQ15T,118 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 150V 45.1A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V.

Інші пропозиції PHB45NQ15T,118 за ціною від 51.15 грн до 137.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PHB45NQ15T,118 PHB45NQ15T,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PHB45NQ15T.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 45.1A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 10152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+125.75 грн
10+ 101.02 грн
100+ 80.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
PHB45NQ15T,118 PHB45NQ15T,118 Виробник : Nexperia PHB45NQ15T-2938431.pdf MOSFET PHB45NQ15T/SOT404/D2PAK
на замовлення 9979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+137.17 грн
10+ 112.29 грн
100+ 77.72 грн
500+ 77.05 грн
800+ 55.6 грн
2400+ 52.81 грн
4800+ 51.15 грн
Мінімальне замовлення: 3