Продукція > NEXPERIA USA INC. > PHB45NQ15T,118
PHB45NQ15T,118

PHB45NQ15T,118 Nexperia USA Inc.

PHB45NQ15T.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 150V 45.1A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+67.55 грн
1600+60.30 грн
2400+57.87 грн
4000+53.16 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PHB45NQ15T,118 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 150V 45.1A D2PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: D2PAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.1A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PHB45NQ15T,118 за ціною від 85.42 грн до 199.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PHB45NQ15T,118 PHB45NQ15T,118 Nexperia USA Inc. PHB45NQ15T.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 45.1A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.93 грн
10+124.32 грн
100+85.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB45NQ15T,118 PHB45NQ15T,118 Nexperia PHB45NQ15T.pdf MOSFETs PHB45NQ15T/SOT404/D2PAK
на замовлення 10392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHB45NQ15T,118 PHB45NQ15T.pdf
PHB45NQ15T,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 150V 45.1A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+199.93 грн
10+124.32 грн
100+85.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHB45NQ15T,118 PHB45NQ15T.pdf
PHB45NQ15T,118
Виробник: Nexperia
MOSFETs PHB45NQ15T/SOT404/D2PAK
на замовлення 10392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.