PHB47NQ10T,118

PHB47NQ10T,118 Nexperia USA Inc.


PHB47NQ10T.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
на замовлення 11200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+62.52 грн
1600+56.39 грн
2400+54.93 грн
4000+49.84 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PHB47NQ10T,118 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PHB47NQ10T,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 166W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PHB47NQ10T,118 за ціною від 53.63 грн до 175.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PHB47NQ10T,118 PHB47NQ10T,118 Виробник : NEXPERIA PHB47NQ10T.pdf Description: NEXPERIA - PHB47NQ10T,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+80.47 грн
500+68.28 грн
1000+57.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PHB47NQ10T,118 PHB47NQ10T,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PHB47NQ10T.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
на замовлення 11977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.57 грн
10+105.22 грн
100+80.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PHB47NQ10T,118 PHB47NQ10T,118 Виробник : NEXPERIA PHB47NQ10T.pdf Description: NEXPERIA - PHB47NQ10T,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+162.58 грн
10+113.06 грн
100+80.47 грн
500+68.28 грн
1000+57.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PHB47NQ10T,118 PHB47NQ10T,118 Виробник : Nexperia PHB47NQ10T.pdf MOSFETs PHB47NQ10T/SOT404/D2PAK
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.95 грн
10+119.29 грн
100+75.04 грн
500+74.30 грн
800+53.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PHB47NQ10T,118 Виробник : NEXPERIA PHB47NQ10T.pdf PHB47NQ10T.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.