PHB66NQ03LT,118 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 66A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PHB66NQ03LT,118 Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 66A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 93W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V.
Інші пропозиції PHB66NQ03LT,118
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PHB66NQ03LT,118 | Nexperia |
MOSFET TAPE13 MOSFET |
на замовлення 4408 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PHB66NQ03LT,118 |
|
Виробник: Nexperia
MOSFET TAPE13 MOSFET
MOSFET TAPE13 MOSFET
на замовлення 4408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)