Продукція > NEXPERIA USA INC. > PHB66NQ03LT,118
PHB66NQ03LT,118

PHB66NQ03LT,118 Nexperia USA Inc.

PHB66NQ03LT.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 66A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 8543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
689+33.44 грн
Мінімальне замовлення: 689
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PHB66NQ03LT,118 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 25V 66A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 93W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V.

Інші пропозиції PHB66NQ03LT,118 за ціною від 61.28 грн до 104.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PHB66NQ03LT,118 PHB66NQ03LT,118 Виробник : Nexperia PHB66NQ03LT-2938692.pdf MOSFET TAPE13 MOSFET
на замовлення 4408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.46 грн
10+92.84 грн
100+62.60 грн
500+61.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PHB66NQ03LT,118 PHB66NQ03LT,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PHB66NQ03LT.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 66A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHB66NQ03LT,118 PHB66NQ03LT,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PHB66NQ03LT.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 66A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.