Продукція > NXP SEMICONDUCTORS > PHD108NQ03LT,118
PHD108NQ03LT,118

PHD108NQ03LT,118 NXP Semiconductors

phb_phd_phu108nq03lt_3.pdf Виробник: NXP Semiconductors
Trans MOSFET N-CH 25V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
758+40.30 грн
Мінімальне замовлення: 758
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PHD108NQ03LT,118 NXP Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 25V 75A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 187W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 12 V.

Інші пропозиції PHD108NQ03LT,118 за ціною від 37.96 грн до 37.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PHD108NQ03LT,118 PHD108NQ03LT,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PHB_PHD_PHU108NQ03LT_3.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1.375 pF @ 12 V
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHD108NQ03LT,118 Виробник : NXP PHGLS18898-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NXP - PHD108NQ03LT,118 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1068+37.96 грн
Мінімальне замовлення: 1068
В кошику  од. на суму  грн.
PHD108NQ03LT,118 PHD108NQ03LT,118 Виробник : NXP Semiconductors phb_phd_phu108nq03lt_3.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHD108NQ03LT,118 PHD108NQ03LT,118 Виробник : NXP USA Inc. PHB_PHD_PHU108NQ03LT_3.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHD108NQ03LT,118 PHD108NQ03LT,118 Виробник : Nexperia PHD108NQ03LT-1599929.pdf MOSFET TAPE13 PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.