PHD13003C,126

PHD13003C,126 WeEn Semiconductors


PHD13003C.pdf Виробник: WeEn Semiconductors
Description: NOW WEEN - PHD13003C - POWER BIP
Packaging: Bulk
на замовлення 22000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3160+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 3160
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PHD13003C,126 WeEn Semiconductors

Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO-92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 1.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V, Supplier Device Package: TO-92-3, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Power - Max: 2.1 W.

Інші пропозиції PHD13003C,126 за ціною від 6.33 грн до 26.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PHD13003C,126 PHD13003C,126 Виробник : WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited phd13003c.pdf Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 2100mW 3-Pin SPT Ammo
на замовлення 3369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1601+7.62 грн
1656+7.37 грн
2500+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 1601
В кошику  од. на суму  грн.
PHD13003C,126 PHD13003C,126 Виробник : WeEn Semiconductors PHD13003C-1846718.pdf Bipolar Transistors - BJT H-VOLT PWR BPT 700V 2 A
на замовлення 3854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+26.09 грн
17+20.14 грн
100+11.92 грн
500+9.12 грн
1000+7.65 грн
2500+6.84 грн
5000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PHD13003C,126 PHD13003C,126 Виробник : Ween phd13003c.pdf Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 2100mW 3-Pin SPT Ammo
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHD13003C,126 PHD13003C,126 Виробник : WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD97D4766DC6A0C0D3&compId=phd13003c.pdf?ci_sign=073b9defa3532c4d7f79b957bd794c7ab6381dfb Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 1.5A; 2.1W; TO92
Collector-emitter voltage: 700V
Current gain: 8...25
Collector current: 1.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: bipolar
Kind of package: Ammo Pack
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO92
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHD13003C,126 PHD13003C,126 Виробник : WeEn Semiconductors phd13003c.pdf Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2.1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHD13003C,126 PHD13003C,126 Виробник : WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD97D4766DC6A0C0D3&compId=phd13003c.pdf?ci_sign=073b9defa3532c4d7f79b957bd794c7ab6381dfb Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 1.5A; 2.1W; TO92
Collector-emitter voltage: 700V
Current gain: 8...25
Collector current: 1.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: bipolar
Kind of package: Ammo Pack
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO92
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.