Продукція > WEEN SEMICONDUCTOR(HONG KONG)CO.,LIMITED > PHD13003C,126
PHD13003C,126

PHD13003C,126 WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited

phd13003c.pdf Виробник: WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited
Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 2100mW 3-Pin SPT T/R
на замовлення 3169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1601+7.68 грн
1656+7.42 грн
2500+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 1601
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PHD13003C,126 WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited

Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO-92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 1.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V, Supplier Device Package: TO-92-3, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Power - Max: 2.1 W.

Інші пропозиції PHD13003C,126 за ціною від 6.07 грн до 25.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PHD13003C,126 PHD13003C,126 Виробник : WeEn Semiconductors PHD13003C.pdf Bipolar Transistors - BJT H-VOLT PWR BPT 700V 2 A
на замовлення 3814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+25.83 грн
19+18.75 грн
100+11.15 грн
500+8.57 грн
1000+7.66 грн
2500+7.05 грн
5000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PHD13003C,126 Виробник : NXP Semiconductors phd13003c.pdf Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 2100mW 3-Pin SPT Ammo
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3958+7.77 грн
10000+6.92 грн
Мінімальне замовлення: 3958
В кошику  од. на суму  грн.
PHD13003C,126 Виробник : NXP Semiconductors phd13003c.pdf Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 2100mW 3-Pin SPT Ammo
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3958+7.77 грн
10000+6.92 грн
Мінімальне замовлення: 3958
В кошику  од. на суму  грн.
PHD13003C,126 PHD13003C,126 Виробник : Ween phd13003c.pdf Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 2100mW 3-Pin SPT Ammo
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHD13003C,126 PHD13003C,126 Виробник : WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD97D4766DC6A0C0D3&compId=phd13003c.pdf?ci_sign=073b9defa3532c4d7f79b957bd794c7ab6381dfb Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 1.5A; 2.1W; TO92
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO92
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 2.1W
Current gain: 8...25
Collector-emitter voltage: 700V
Kind of package: Ammo Pack
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHD13003C,126 PHD13003C,126 Виробник : WeEn Semiconductors phd13003c.pdf Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2.1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHD13003C,126 PHD13003C,126 Виробник : WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD97D4766DC6A0C0D3&compId=phd13003c.pdf?ci_sign=073b9defa3532c4d7f79b957bd794c7ab6381dfb Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 1.5A; 2.1W; TO92
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO92
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 2.1W
Current gain: 8...25
Collector-emitter voltage: 700V
Kind of package: Ammo Pack
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.