Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > PHD13005,127
PHD13005,127

PHD13005,127 WeEn Semiconductors

phd13005.pdf Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRANS NPN 400V 4A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 5984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.26 грн
50+28.65 грн
100+25.29 грн
500+18.20 грн
1000+16.42 грн
2000+14.91 грн
5000+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PHD13005,127 WeEn Semiconductors

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - PHD13005,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 75 W, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції PHD13005,127

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PHD13005,127 PHD13005,127 Виробник : WEEN SEMICONDUCTORS phd13005.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - PHD13005,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 75 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHD13005,127 PHD13005,127 Виробник : WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD97D4721B1DE540D3&compId=phd13005.pdf?ci_sign=ef5ed0e56be237208146764160d9e4495d549357 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 10...40
Collector current: 4A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 75W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHD13005,127 PHD13005,127 Виробник : WeEn Semiconductors PHD13005-1846800.pdf Bipolar Transistors - BJT TRANSISTOR NPN BIPO 700V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHD13005,127 PHD13005,127 Виробник : WeEn Semiconductors pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD97D4721B1DE540D3&compId=phd13005.pdf?ci_sign=ef5ed0e56be237208146764160d9e4495d549357 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 10...40
Collector current: 4A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 75W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.