PHD13005,127 WeEn Semiconductors
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRANS NPN 400V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 75 W
Description: TRANS NPN 400V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 5301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 39.62 грн |
50+ | 30.69 грн |
100+ | 22.79 грн |
500+ | 16.7 грн |
1000+ | 13.57 грн |
2000+ | 12.13 грн |
5000+ | 11.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PHD13005,127 WeEn Semiconductors
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - PHD13005,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 75 W, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції PHD13005,127 за ціною від 10.79 грн до 46.99 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHD13005,127 | Виробник : WeEn Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT TRANSISTOR NPN BIPO 700V |
на замовлення 4630 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PHD13005,127 | Виробник : WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - PHD13005,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 75 W, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PHD13005,127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB Kind of package: tube Collector current: 4A Type of transistor: NPN Power dissipation: 75W Polarisation: bipolar Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mounting: THT Case: TO220AB Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 10...40 кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
PHD13005,127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB Kind of package: tube Collector current: 4A Type of transistor: NPN Power dissipation: 75W Polarisation: bipolar Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mounting: THT Case: TO220AB Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 10...40 |
товар відсутній |