PHD13005,127 WeEn Semiconductors
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.30 грн |
| 10+ | 35.57 грн |
| 100+ | 22.53 грн |
| 500+ | 17.75 грн |
| 1000+ | 14.68 грн |
| 2000+ | 13.31 грн |
| 5000+ | 11.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PHD13005,127 WeEn Semiconductors
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - PHD13005,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 75 W, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PHD13005,127 за ціною від 16.32 грн до 67.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PHD13005,127 | Виробник : WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - PHD13005,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 75 W, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-220AB Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PHD13005,127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
Description: TRANS NPN 400V 4A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 75 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
PHD13005,127 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: TRANS NPN 400V 4A TO220AB Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
PHD13005,127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Type of transistor: NPN Mounting: THT Case: TO220AB Power dissipation: 75W Collector current: 4A Current gain: 10...40 Collector-emitter voltage: 400V Kind of package: tube Polarisation: bipolar |
товару немає в наявності |