Інші пропозиції PHD36N03LT,118
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
PHD36N03LT,118 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
PHD36N03LT,118 | Виробник : NXP USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 57.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |