
на замовлення 1517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
623+ | 19.65 грн |
676+ | 18.10 грн |
680+ | 17.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PHD38N02LT,118 Nexperia
Description: MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 25A, 5V, Power Dissipation (Max): 57.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 20 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.
Інші пропозиції PHD38N02LT,118
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
PHD38N02LT,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 25A, 5V Power Dissipation (Max): 57.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 20 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 |
товару немає в наявності |
|
![]() |
PHD38N02LT,118 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |