PHE13003C,412 WeEn Semiconductors


PHE13003C.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Bipolar Transistors - BJT Silicon diffused power transistor
на замовлення 3709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PHE13003C,412 WeEn Semiconductors

Category: NPN THT transistors, Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1.5A; 2.1W; TO92, Mounting: THT, Type of transistor: NPN, Case: TO92, Collector current: 1.5A, Power dissipation: 2.1W, Current gain: 5...25, Collector-emitter voltage: 400V, Kind of package: bulk, Polarisation: bipolar.

Інші пропозиції PHE13003C,412

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PHE13003C,412 PHE13003C,412 WeEn Semiconductors Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1.5A; 2.1W; TO92
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Case: TO92
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 2.1W
Current gain: 5...25
Collector-emitter voltage: 400V
Kind of package: bulk
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHE13003C,412 PHE13003C,412 WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited phe13003c.pdf Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 2100mW Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHE13003C,412
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1.5A; 2.1W; TO92
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Case: TO92
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 2.1W
Current gain: 5...25
Collector-emitter voltage: 400V
Kind of package: bulk
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHE13003C,412 phe13003c.pdf
Виробник: WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited
Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 2100mW Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.