PHE13003C,412 WeEn Semiconductors
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2.1 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 35.41 грн |
| 15+ | 20.90 грн |
| 100+ | 13.27 грн |
| 500+ | 9.34 грн |
| 1000+ | 8.33 грн |
| 2000+ | 7.48 грн |
| 5000+ | 6.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PHE13003C,412 WeEn Semiconductors
Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO-92-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 1.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Power - Max: 2.1 W.
Інші пропозиції PHE13003C,412
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PHE13003C,412 | WeEn Semiconductors |
Bipolar Transistors - BJT Silicon diffused power transistor |
на замовлення 3709 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PHE13003C,412 |
|
Виробник: WeEn Semiconductors
Bipolar Transistors - BJT Silicon diffused power transistor
Bipolar Transistors - BJT Silicon diffused power transistor
на замовлення 3709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)