Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > PHE13005,127
PHE13005,127

PHE13005,127 WeEn Semiconductors

PHE13005.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 4A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Current gain: 10...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 2456 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+59.96 грн
9+46.53 грн
11+40.22 грн
50+26.76 грн
100+22.60 грн
500+16.70 грн
1000+15.21 грн
2000+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PHE13005,127 WeEn Semiconductors

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - PHE13005,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 75 W, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції PHE13005,127 за ціною від 26.69 грн до 118.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PHE13005,127 PHE13005,127 WeEn Semiconductors PHE13005.pdf Description: TRANS NPN 400V 4A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 5292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.82 грн
10+72.24 грн
100+48.28 грн
500+35.67 грн
1000+32.57 грн
2000+29.96 грн
5000+26.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHE13005,127 PHE13005,127 WeEn Semiconductors PHE13005.pdf Bipolar Transistors - BJT RAIL BIPOLAR
на замовлення 4431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHE13005,127 PHE13005,127 WEEN SEMICONDUCTORS PHE13005.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - PHE13005,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 75 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHE13005,127 PHE13005.pdf
PHE13005,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRANS NPN 400V 4A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 5292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+118.82 грн
10+72.24 грн
100+48.28 грн
500+35.67 грн
1000+32.57 грн
2000+29.96 грн
5000+26.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHE13005,127 PHE13005.pdf
PHE13005,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Bipolar Transistors - BJT RAIL BIPOLAR
на замовлення 4431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHE13005,127 PHE13005.pdf
PHE13005,127
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - PHE13005,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 75 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.