Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > PHE13005,127
PHE13005,127

PHE13005,127 WeEn Semiconductors

PHE13005.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Bipolar Transistors - BJT RAIL BIPOLAR
на замовлення 5752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+57.31 грн
12+27.80 грн
100+20.93 грн
500+16.28 грн
1000+14.24 грн
2000+12.97 грн
5000+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PHE13005,127 WeEn Semiconductors

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - PHE13005,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 75 W, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції PHE13005,127 за ціною від 13.56 грн до 68.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PHE13005,127 PHE13005,127 WeEn Semiconductors PHE13005.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Case: TO220AB
Power dissipation: 75W
Collector current: 4A
Current gain: 10...40
Collector-emitter voltage: 400V
Kind of package: tube
Polarisation: bipolar
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.22 грн
9+47.51 грн
11+41.06 грн
50+27.32 грн
100+23.08 грн
500+17.05 грн
1000+15.53 грн
2000+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHE13005,127 PHE13005,127 WeEn Semiconductors PHE13005.pdf Description: TRANS NPN 400V 4A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 5297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.61 грн
10+40.09 грн
100+26.08 грн
500+18.81 грн
1000+16.99 грн
2000+15.45 грн
5000+13.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHE13005,127 PHE13005,127 WEEN SEMICONDUCTORS PHE13005.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - PHE13005,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 75 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+68.33 грн
27+31.41 грн
100+27.71 грн
500+19.78 грн
1000+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHE13005,127 PHE13005.pdf
PHE13005,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Case: TO220AB
Power dissipation: 75W
Collector current: 4A
Current gain: 10...40
Collector-emitter voltage: 400V
Kind of package: tube
Polarisation: bipolar
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+61.22 грн
9+47.51 грн
11+41.06 грн
50+27.32 грн
100+23.08 грн
500+17.05 грн
1000+15.53 грн
2000+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHE13005,127 PHE13005.pdf
PHE13005,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRANS NPN 400V 4A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 5297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+66.61 грн
10+40.09 грн
100+26.08 грн
500+18.81 грн
1000+16.99 грн
2000+15.45 грн
5000+13.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHE13005,127 PHE13005.pdf
PHE13005,127
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - PHE13005,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 75 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+68.33 грн
27+31.41 грн
100+27.71 грн
500+19.78 грн
1000+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.