PHE13005,127 WeEn Semiconductors
на замовлення 5752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 55.65 грн |
| 12+ | 27.00 грн |
| 100+ | 20.33 грн |
| 500+ | 15.81 грн |
| 1000+ | 13.83 грн |
| 2000+ | 12.59 грн |
| 5000+ | 10.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PHE13005,127 WeEn Semiconductors
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - PHE13005,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 75 W, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції PHE13005,127 за ціною від 11.44 грн до 61.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PHE13005,127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
 Description: TRANS NPN 400V 4A TO-220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 75 W |
на замовлення 6386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PHE13005,127 | Виробник : WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - PHE13005,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 75 W, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-220AB Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1622 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PHE13005,127 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans GP BJT NPN 400V 4A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PHE13005,127 | Виробник : WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited |
Trans GP BJT NPN 400V 4A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
товару немає в наявності |