PHE13005,127 WEEN SEMICONDUCTORS
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - PHE13005,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 75 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 38.05 грн |
| 24+ | 31.75 грн |
| 100+ | 22.39 грн |
| 500+ | 16.97 грн |
| 1000+ | 11.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PHE13005,127 WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - PHE13005,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 75 W, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 10hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції PHE13005,127 за ціною від 10.82 грн до 59.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PHE13005,127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
Description: TRANS NPN 400V 4A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 75 W |
на замовлення 8634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PHE13005,127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
Bipolar Transistors - BJT RAIL BIPOLAR |
на замовлення 6393 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PHE13005,127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB Kind of package: tube Current gain: 10...40 Collector current: 4A Type of transistor: NPN Power dissipation: 75W Polarisation: bipolar Mounting: THT Case: TO220AB Collector-emitter voltage: 400V |
на замовлення 885 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PHE13005,127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB Kind of package: tube Current gain: 10...40 Collector current: 4A Type of transistor: NPN Power dissipation: 75W Polarisation: bipolar Mounting: THT Case: TO220AB Collector-emitter voltage: 400V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 885 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PHE13005,127 | Виробник : Ween |
Trans GP BJT NPN 400V 4A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
товар відсутній |