Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > PHE13005,127
PHE13005,127

PHE13005,127 WeEn Semiconductors

PHE13005.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 400V
Power dissipation: 75W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 10...40
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Collector current: 4A
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+53.67 грн
10+46.84 грн
50+39.12 грн
60+16.03 грн
163+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 9 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PHE13005,127 WeEn Semiconductors

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - PHE13005,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 75 W, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 75W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220AB, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції PHE13005,127 за ціною від 16.41 грн до 125.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PHE13005,127 PHE13005,127 WeEn Semiconductors PHE13005.pdf Bipolar Transistors - BJT RAIL BIPOLAR
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+89.30 грн
10+65.68 грн
100+35.55 грн
500+24.51 грн
1000+20.61 грн
2000+18.40 грн
5000+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHE13005,127 PHE13005,127 WeEn Semiconductors PHE13005.pdf Description: TRANS NPN 400V 4A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 5260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.75 грн
10+76.69 грн
100+51.24 грн
500+37.86 грн
1000+34.57 грн
2000+31.80 грн
5000+28.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHE13005,127 PHE13005,127 WEEN SEMICONDUCTORS PHE13005.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - PHE13005,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 75 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 75W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHE13005,127 PHE13005.pdf
PHE13005,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Bipolar Transistors - BJT RAIL BIPOLAR
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.30 грн
10+65.68 грн
100+35.55 грн
500+24.51 грн
1000+20.61 грн
2000+18.40 грн
5000+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHE13005,127 PHE13005.pdf
PHE13005,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRANS NPN 400V 4A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 5260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+125.75 грн
10+76.69 грн
100+51.24 грн
500+37.86 грн
1000+34.57 грн
2000+31.80 грн
5000+28.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHE13005,127 PHE13005.pdf
PHE13005,127
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - PHE13005,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 75 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 75W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.