PHE13009,127 WeEn Semiconductors
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 400V
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 8...40
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Collector current: 12A
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 58.57 грн |
| 10+ | 49.04 грн |
| 50+ | 40.00 грн |
| 100+ | 35.31 грн |
| 250+ | 29.62 грн |
| 500+ | 27.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PHE13009,127 WeEn Semiconductors
Description: TRANS NPN 400V 12A TO-220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Power - Max: 80 W.
Інші пропозиції PHE13009,127
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PHE13009,127 | WeEn Semiconductors |
Bipolar Transistors - BJT RAIL PWR-MOS |
на замовлення 6648 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PHE13009,127 |
|
Виробник: WeEn Semiconductors
Bipolar Transistors - BJT RAIL PWR-MOS
Bipolar Transistors - BJT RAIL PWR-MOS
на замовлення 6648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)