Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > PHE13009/DG,127
PHE13009/DG,127

PHE13009/DG,127 WEEN SEMICONDUCTORS

WEEN-S-A0001703588-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - PHE13009/DG,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 12 A, 80 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 12A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+68.53 грн
14+60.44 грн
100+41.24 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PHE13009/DG,127 WEEN SEMICONDUCTORS

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - PHE13009/DG,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 12 A, 80 W, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 12A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції PHE13009/DG,127 за ціною від 20.91 грн до 81.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PHE13009/DG,127 PHE13009/DG,127 Виробник : WeEn Semiconductors phe13009.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN POWER TRANSISTOR
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.69 грн
10+61.70 грн
100+36.61 грн
500+30.58 грн
1000+25.97 грн
2000+23.51 грн
5000+20.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PHE13009/DG,127 PHE13009/DG,127 Виробник : WeEn Semiconductors phe13009.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Heatsink thickness: max. 1.3mm
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHE13009/DG,127 PHE13009/DG,127 Виробник : WeEn Semiconductors phe13009.pdf Description: TRANS NPN 400V 12A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PHE13009/DG,127 PHE13009/DG,127 Виробник : WeEn Semiconductors phe13009.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Heatsink thickness: max. 1.3mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.