PHE13009/DG,127 WeEn Semiconductors
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 96.91 грн |
| 10+ | 60.03 грн |
| 100+ | 34.52 грн |
| 500+ | 28.35 грн |
| 1000+ | 24.46 грн |
| 2000+ | 22.40 грн |
| 5000+ | 19.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PHE13009/DG,127 WeEn Semiconductors
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - PHE13009/DG,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 12 A, 80 W, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Dauerkollektorstrom: 12A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PHE13009/DG,127 за ціною від 43.17 грн до 104.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PHE13009/DG,127 | Виробник : WEEN SEMICONDUCTORS |
 Description: WEEN SEMICONDUCTORS - PHE13009/DG,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 12 A, 80 W, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-220AB Dauerkollektorstrom: 12A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
PHE13009/DG,127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
Description: TRANS NPN 400V 12A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V Supplier Device Package: TO-220AB Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
PHE13009/DG,127 | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 12A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Current gain: 8...40 Mounting: THT Kind of package: tube Heatsink thickness: max. 1.3mm |
товару немає в наявності |