Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > PHE13009/DG,127
PHE13009/DG,127

PHE13009/DG,127 WeEn Semiconductors

PHE13009.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Bipolar Transistors - BJT NPN POWER TRANSISTOR
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PHE13009/DG,127 WeEn Semiconductors

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - PHE13009/DG,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 12 A, 80 W, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 80W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-220AB, Dauerkollektorstrom: 12A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції PHE13009/DG,127

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PHE13009/DG,127 PHE13009/DG,127 WEEN SEMICONDUCTORS WEEN-S-A0001703588-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: WEEN SEMICONDUCTORS - PHE13009/DG,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 12 A, 80 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 80W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHE13009/DG,127 WEEN-S-A0001703588-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PHE13009/DG,127
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - PHE13009/DG,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 12 A, 80 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 80W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.