Інші пропозиції PHK12NQ10T,518
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PHK12NQ10T,518 | Виробник : NEXPERIA |
 Trans MOSFET N-CH 100V 11.6A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
PHK12NQ10T,518 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 11.6A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 8.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1965 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |