Продукція > PHK > PHK28NQ03LT,518

PHK28NQ03LT,518


PHK28NQ03LT.pdf Виробник:

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PHK28NQ03LT,518

Description: MOSFET N-CH 30V 23.7A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V.

Інші пропозиції PHK28NQ03LT,518

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PHK28NQ03LT,518 PHK28NQ03LT,518 Виробник : NEXPERIA 175964762561715phk28nq03lt.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23.7A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
PHK28NQ03LT,518 PHK28NQ03LT,518 Виробник : NXP USA Inc. PHK28NQ03LT.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 23.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V
товар відсутній
PHK28NQ03LT,518 PHK28NQ03LT,518 Виробник : Nexperia PHK28NQ03LT.pdf MOSFET TAPE13 PWR-MOS
товар відсутній