PHT6N06T,135 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-73
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-73
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 25 V
на замовлення 8364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1332+ | 17.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PHT6N06T,135 NXP USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 8.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: SC-73, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 25 V.
Інші пропозиції PHT6N06T,135 за ціною від 18.69 грн до 18.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PHT6N06T,135 | Виробник : NXP Semiconductors |
 Trans MOSFET N-CH 55V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
PHT6N06T,135 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans MOSFET N-CH 55V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 2040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
PHT6N06T,135 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans MOSFET N-CH 55V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 6669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
PHT6N06T,135 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 55V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
PHT6N06T,135 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: SC-73 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |