Продукція > NEXPERIA USA INC. > PHT6NQ10T,135
PHT6NQ10T,135

PHT6NQ10T,135 Nexperia USA Inc.

PHT6NQ10T.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+21.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PHT6NQ10T,135 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PHT6NQ10T,135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.09 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 8.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PHT6NQ10T,135 за ціною від 22.55 грн до 56.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PHT6NQ10T,135 PHT6NQ10T,135 Nexperia 2929pht6nq10t.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.91 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6NQ10T,135 PHT6NQ10T,135 Nexperia 2929pht6nq10t.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 36947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1130+31.37 грн
Мінімальне замовлення: 1130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6NQ10T,135 PHT6NQ10T,135 Nexperia 2929pht6nq10t.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+32.86 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6NQ10T,135 PHT6NQ10T,135 Nexperia 2929pht6nq10t.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+32.86 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6NQ10T,135 PHT6NQ10T,135 Nexperia 69011930434861pht6nq10t.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+34.62 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6NQ10T,135 PHT6NQ10T,135 Nexperia 2929pht6nq10t.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
383+37.04 грн
385+36.86 грн
500+35.25 грн
1000+31.80 грн
Мінімальне замовлення: 383 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6NQ10T,135 PHT6NQ10T,135 Nexperia 2929pht6nq10t.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 1116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+39.18 грн
1000+36.92 грн
Мінімальне замовлення: 293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6NQ10T,135 PHT6NQ10T,135 Nexperia 2929pht6nq10t.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 1116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
362+39.18 грн
1000+36.92 грн
Мінімальне замовлення: 362 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6NQ10T,135 PHT6NQ10T,135 Nexperia USA Inc. PHT6NQ10T.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.82 грн
10+35.00 грн
100+24.06 грн
500+22.55 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6NQ10T,135 PHT6NQ10T,135 Nexperia 2929pht6nq10t.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+56.15 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6NQ10T,135 PHT6NQ10T,135 Nexperia PHT6NQ10T.pdf MOSFETs SOT223 100V 6.5A N-CH
на замовлення 51423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6NQ10T,135 PHT6NQ10T,135 NEXPERIA PHT6NQ10T.pdf Description: NEXPERIA - PHT6NQ10T,135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.09 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6NQ10T,135 PHT6NQ10T,135 NEXPERIA NEXP-S-A0002885553-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PHT6NQ10T,135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.09 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6NQ10T,135 2929pht6nq10t.pdf
PHT6NQ10T,135
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+28.91 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6NQ10T,135 2929pht6nq10t.pdf
PHT6NQ10T,135
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 36947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1130+31.37 грн
Мінімальне замовлення: 1130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6NQ10T,135 2929pht6nq10t.pdf
PHT6NQ10T,135
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+32.86 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6NQ10T,135 2929pht6nq10t.pdf
PHT6NQ10T,135
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+32.86 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6NQ10T,135 69011930434861pht6nq10t.pdf
PHT6NQ10T,135
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+34.62 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6NQ10T,135 2929pht6nq10t.pdf
PHT6NQ10T,135
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
383+37.04 грн
385+36.86 грн
500+35.25 грн
1000+31.80 грн
Мінімальне замовлення: 383 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6NQ10T,135 2929pht6nq10t.pdf
PHT6NQ10T,135
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 1116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
293+39.18 грн
1000+36.92 грн
Мінімальне замовлення: 293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6NQ10T,135 2929pht6nq10t.pdf
PHT6NQ10T,135
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 1116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
362+39.18 грн
1000+36.92 грн
Мінімальне замовлення: 362 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6NQ10T,135 PHT6NQ10T.pdf
PHT6NQ10T,135
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+45.82 грн
10+35.00 грн
100+24.06 грн
500+22.55 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6NQ10T,135 2929pht6nq10t.pdf
PHT6NQ10T,135
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+56.15 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6NQ10T,135 PHT6NQ10T.pdf
PHT6NQ10T,135
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT223 100V 6.5A N-CH
на замовлення 51423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6NQ10T,135 PHT6NQ10T.pdf
PHT6NQ10T,135
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PHT6NQ10T,135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.09 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PHT6NQ10T,135 NEXP-S-A0002885553-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PHT6NQ10T,135
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PHT6NQ10T,135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3 A, 0.09 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.