Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJA138L_R1_00001
PJA138L_R1_00001

PJA138L_R1_00001 Panjit International Inc.

PJA138L.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 250mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.93 грн
6000+5.46 грн
9000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJA138L_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: SOT-23, MOSFET, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V, Supplier Device Package: SOT-23, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 250mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PJA138L_R1_00001 за ціною від 6.37 грн до 33.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJA138L_R1_00001 PJA138L_R1_00001 Panjit International Inc. PJA138L.pdf Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 15 V
на замовлення 17313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.32 грн
14+22.24 грн
100+11.22 грн
500+8.59 грн
1000+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA138L_R1_00001 PJA138L_R1_00001 Panjit 9BAEB5DF8C51513A74E6FB1B13F92EB35CFD0AE444F272EA2D0E74D790C1E7EE.pdf MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA138L_R1_00001 PJA138L.pdf
PJA138L_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 15 V
на замовлення 17313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.32 грн
14+22.24 грн
100+11.22 грн
500+8.59 грн
1000+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA138L_R1_00001 9BAEB5DF8C51513A74E6FB1B13F92EB35CFD0AE444F272EA2D0E74D790C1E7EE.pdf
PJA138L_R1_00001
Виробник: Panjit
MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.