Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJA3400_R1_00001
PJA3400_R1_00001

PJA3400_R1_00001 Panjit International Inc.

PJA3400.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.29 грн
6000+5.65 грн
9000+5.24 грн
15000+4.73 грн
21000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJA3400_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: SOT-23, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PJA3400_R1_00001 за ціною від 4.78 грн до 30.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJA3400_R1_00001 PJA3400_R1_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJA3400.pdf Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 15 V
на замовлення 29481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.65 грн
17+18.32 грн
100+9.13 грн
500+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3400_R1_00001 PJA3400_R1_00001 Виробник : Panjit PJA3400-1867250.pdf MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 22644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.21 грн
18+19.71 грн
100+8.53 грн
1000+7.65 грн
3000+5.66 грн
9000+4.93 грн
24000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3400_R1_00001 Виробник : PanJit Semiconductor PJA3400.pdf PJA3400-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 2717 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+30.70 грн
190+5.69 грн
521+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3400-R1-00001 PJA3400-R1-00001 Виробник : Panjit PJA3400-1867250.pdf MOSFETs SOT23 N CHAN 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.