Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > PJA3400_R1_00001
PJA3400_R1_00001

PJA3400_R1_00001 PanJit Semiconductor

PJA3400.pdf Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 19.6A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.7nC
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 4.9A
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 19.6A
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
на замовлення 2675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+27.95 грн
25+16.36 грн
100+10.38 грн
500+7.61 грн
1000+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJA3400_R1_00001 PanJit Semiconductor

Description: SOT-23, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PJA3400_R1_00001 за ціною від 4.45 грн до 34.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJA3400_R1_00001 PJA3400_R1_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJA3400.pdf Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 15 V
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.85 грн
17+18.64 грн
100+11.76 грн
500+8.25 грн
1000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3400_R1_00001 PJA3400_R1_00001 Виробник : PanJit Semiconductor PJA3400.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 19.6A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.7nC
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 4.9A
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 19.6A
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2675 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.53 грн
15+20.38 грн
100+12.46 грн
500+9.13 грн
1000+7.98 грн
3000+6.47 грн
6000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3400_R1_00001 PJA3400_R1_00001 Виробник : Panjit 70B47309D26FB14583D3DC476DCEBDD3307508A88C9319256E812D9058319DE8.pdf MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+34.08 грн
17+20.57 грн
100+11.40 грн
500+8.53 грн
1000+7.55 грн
3000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3400_R1_00001 Виробник : PanJit PJA3400.pdf PJA3400_R1_00001
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
770+21.78 грн
1000+16.34 грн
2000+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 770
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3400_R1_00001 PJA3400_R1_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJA3400.pdf Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3400-R1-00001 PJA3400-R1-00001 Виробник : Panjit PJA3400-1867250.pdf MOSFETs SOT23 N CHAN 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.