PJA3400_R1_00001 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.39 грн |
| 6000+ | 3.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJA3400_R1_00001 Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 15 V.
Інші пропозиції PJA3400_R1_00001 за ціною від 4.76 грн до 28.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PJA3400_R1_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: SOT-23, MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 15 V |
на замовлення 6677 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PJA3400_R1_00001 | Виробник : Panjit |
MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
на замовлення 36115 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PJA3400_R1_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 19.6A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.9A Pulsed drain current: 19.6A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2675 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PJA3400_R1_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 19.6A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.9A Pulsed drain current: 19.6A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2675 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PJA3400_R1_00001 | Виробник : PanJit |
PJA3400_R1_00001 |
на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
PJA3400-R1-00001 | Виробник : Panjit |
MOSFETs SOT23 N CHAN 30V |
товару немає в наявності |