Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > PJA3403_R1_00001
PJA3403_R1_00001

PJA3403_R1_00001 PanJit Semiconductor

PJA3403.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -12.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 688 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+18.75 грн
35+11.86 грн
100+6.90 грн
500+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJA3403_R1_00001 PanJit Semiconductor

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PJA3403_R1_00001 за ціною від 14.38 грн до 35.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJA3403_R1_00001 PJA3403_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3403.pdf Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.65 грн
12+25.37 грн
100+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3403_R1_00001 PJA3403_R1_00001 Panjit PJA3403-1867410.pdf MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3403_R1_00001 PJA3403.pdf
PJA3403_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.65 грн
12+25.37 грн
100+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3403_R1_00001 PJA3403-1867410.pdf
PJA3403_R1_00001
Виробник: Panjit
MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.