PJA3406_R1_00001 Panjit International Inc.


PJA3406.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.27 грн
6000+3.93 грн
9000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJA3406_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: SOT-23, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PJA3406_R1_00001 за ціною від 4.20 грн до 33.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJA3406_R1_00001 PJA3406_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3406.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.4A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 5.8nC
On-state resistance: 70mΩ
Pulsed drain current: 17.6A
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.66 грн
36+11.47 грн
100+6.12 грн
500+4.56 грн
1000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3406_R1_00001 PJA3406_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3406.pdf Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
на замовлення 39728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.94 грн
14+22.73 грн
100+11.48 грн
500+8.79 грн
1000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3406_R1_00001 PJA3406_R1_00001 Panjit 941661611DF00159E78ACE28A0E3CEC4E9985A03C942C2F4934EF7267DE0BAC2.pdf MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 236782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3406_R1_00001 PJA3406.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.4A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 5.8nC
On-state resistance: 70mΩ
Pulsed drain current: 17.6A
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+18.66 грн
36+11.47 грн
100+6.12 грн
500+4.56 грн
1000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3406_R1_00001 PJA3406.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
на замовлення 39728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.94 грн
14+22.73 грн
100+11.48 грн
500+8.79 грн
1000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3406_R1_00001 941661611DF00159E78ACE28A0E3CEC4E9985A03C942C2F4934EF7267DE0BAC2.pdf
Виробник: Panjit
MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 236782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.