Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > PJA3407_R1_00001
PJA3407_R1_00001

PJA3407_R1_00001 PanJit Semiconductor

PJA3407.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.8A; Idm: -15.2A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -15.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.74 грн
25+17.24 грн
100+10.71 грн
500+7.95 грн
1000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJA3407_R1_00001 PanJit Semiconductor

Description: SOT-23, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PJA3407_R1_00001 за ціною від 7.69 грн до 32.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJA3407_R1_00001 PJA3407_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3407.pdf Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528 pF @ 15 V
на замовлення 4048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.85 грн
16+19.51 грн
100+12.31 грн
500+8.63 грн
1000+7.69 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3407_R1_00001 PJA3407_R1_00001 Panjit E23CC1EC19FD722BAE7840D79F27A41291E508257894C78518576F0B7AD234CF.pdf MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3407_R1_00001 PJA3407.pdf
PJA3407_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528 pF @ 15 V
на замовлення 4048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.85 грн
16+19.51 грн
100+12.31 грн
500+8.63 грн
1000+7.69 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3407_R1_00001 E23CC1EC19FD722BAE7840D79F27A41291E508257894C78518576F0B7AD234CF.pdf
PJA3407_R1_00001
Виробник: Panjit
MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.