Інші пропозиції PJA3407_R1_00001 за ціною від 4.12 грн до 31.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PJA3407_R1_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: SOT-23, MOSFETPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528 pF @ 15 V |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJA3407_R1_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.8A; Idm: -15.2A; 1.25W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.8A Pulsed drain current: -15.2A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2364 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJA3407_R1_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: SOT-23, MOSFETPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528 pF @ 15 V |
на замовлення 52325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJA3407_R1_00001 | Виробник : Panjit |
MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
на замовлення 29436 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PJA3407-R1-00001 | Виробник : Panjit |
MOSFETs SOT23 P CHAN 30V |
товару немає в наявності |



