PJA3409_R1_00001 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 396 pF @ 15 V
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJA3409_R1_00001 Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 396 pF @ 15 V.
Інші пропозиції PJA3409_R1_00001 за ціною від 4.11 грн до 41.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PJA3409_R1_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -11.6A; 1.25W Drain current: -2.9A On-state resistance: 0.15Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.25W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 9.8nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -11.6A Mounting: SMD Case: SOT23 Drain-source voltage: -30V |
на замовлення 2390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PJA3409_R1_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -11.6A; 1.25W Drain current: -2.9A On-state resistance: 0.15Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.25W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 9.8nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -11.6A Mounting: SMD Case: SOT23 Drain-source voltage: -30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2390 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PJA3409_R1_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: SOT-23, MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 396 pF @ 15 V |
на замовлення 108791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PJA3409_R1_00001 | Виробник : Panjit |
MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
на замовлення 10967 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|