Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJA3409_R1_00001
PJA3409_R1_00001

PJA3409_R1_00001 Panjit International Inc.

PJA3409.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 396 pF @ 15 V
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJA3409_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: SOT-23, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 396 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PJA3409_R1_00001 за ціною від 6.00 грн до 35.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJA3409_R1_00001 PJA3409_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3409.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -11.6A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
Pulsed drain current: -11.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.11 грн
30+13.85 грн
100+8.85 грн
500+6.70 грн
1000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3409_R1_00001 PJA3409_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3409.pdf Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 396 pF @ 15 V
на замовлення 108791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.65 грн
12+25.37 грн
100+14.38 грн
500+8.94 грн
1000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3409_R1_00001 PJA3409_R1_00001 Panjit PJA3409-1867412.pdf MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 10967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3409_R1_00001 PJA3409.pdf
PJA3409_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -11.6A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
Pulsed drain current: -11.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+24.11 грн
30+13.85 грн
100+8.85 грн
500+6.70 грн
1000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3409_R1_00001 PJA3409.pdf
PJA3409_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 396 pF @ 15 V
на замовлення 108791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.65 грн
12+25.37 грн
100+14.38 грн
500+8.94 грн
1000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3409_R1_00001 PJA3409-1867412.pdf
PJA3409_R1_00001
Виробник: Panjit
MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 10967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.