PJA3411-AU_R1_000A1

PJA3411-AU_R1_000A1 Panjit International Inc.


PJA3411-AU.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 416 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.64 грн
6000+5.79 грн
9000+5.48 грн
15000+4.82 грн
21000+4.62 грн
30000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJA3411-AU_R1_000A1 Panjit International Inc.

Description: SOT-23, MOSFET, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 416 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.

Інші пропозиції PJA3411-AU_R1_000A1 за ціною від 7.13 грн до 30.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJA3411-AU_R1_000A1 PJA3411-AU_R1_000A1 Виробник : Panjit International Inc. PJA3411-AU.pdf Description: SOT-23, MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 416 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 62904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.51 грн
17+18.23 грн
100+11.47 грн
500+8.02 грн
1000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3411-AU_R1_000A1 PJA3411-AU_R1_000A1 Виробник : Panjit PJA3411_AU-1867217.pdf MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3411-AU-R1-000A1 PJA3411-AU-R1-000A1 Виробник : Panjit PJA3411-AU-1867217.pdf MOSFETs SOT-23/MOS/SOT/NFET-20TMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.