Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJA3411_R1_00001
PJA3411_R1_00001

PJA3411_R1_00001 Panjit International Inc.

PJA3411.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 416 pF @ 10 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.36 грн
6000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJA3411_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: SOT-23, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 416 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PJA3411_R1_00001 за ціною від 3.83 грн до 31.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJA3411_R1_00001 PJA3411_R1_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJA3411.pdf Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 416 pF @ 10 V
на замовлення 29966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.44 грн
18+17.09 грн
100+10.74 грн
500+7.50 грн
1000+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3411_R1_00001 PJA3411_R1_00001 Виробник : Panjit PJA3411-1867296.pdf MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 29583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.93 грн
18+19.04 грн
100+7.80 грн
1000+6.92 грн
3000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3411_R1_00001 Виробник : PanJit Semiconductor PJA3411.pdf PJA3411-R1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3411-R1-00001 PJA3411-R1-00001 Виробник : Panjit PJA3411-1867296.pdf MOSFETs SOT-23/MOS/SOT/NFET-20TMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.