PJA3413_R1_00001

PJA3413_R1_00001 Panjit International Inc.


PJA3413.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 522 pF @ 10 V
на замовлення 81000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.36 грн
6000+5.86 грн
9000+5.07 грн
30000+4.67 грн
75000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJA3413_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: SOT-23, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3.4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 522 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PJA3413_R1_00001 за ціною від 3.26 грн до 38.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJA3413_R1_00001 PJA3413_R1_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJA3413.pdf Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 522 pF @ 10 V
на замовлення 87312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.10 грн
14+23.82 грн
100+12.03 грн
500+9.21 грн
1000+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3413_R1_00001 PJA3413_R1_00001 Виробник : Panjit PJA3413-1867330.pdf MOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 60969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+38.47 грн
14+26.47 грн
100+9.51 грн
1000+7.09 грн
3000+4.83 грн
24000+4.75 грн
45000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3413_R1_00001 Виробник : PanJit Semiconductor PJA3413.pdf PJA3413-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.55 грн
320+3.45 грн
880+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.