Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJA3413_R1_00001
PJA3413_R1_00001

PJA3413_R1_00001 Panjit International Inc.

PJA3413.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 522 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.04 грн
6000+5.56 грн
9000+4.81 грн
30000+4.43 грн
75000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJA3413_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: SOT-23, MOSFET, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 522 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3.4A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PJA3413_R1_00001 за ціною від 4.78 грн до 33.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJA3413_R1_00001 PJA3413_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3413.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.4A; Idm: -13.6A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.4A
Pulsed drain current: -13.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.22 грн
39+10.70 грн
100+7.06 грн
500+5.36 грн
1000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3413_R1_00001 PJA3413_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3413.pdf Description: SOT-23, MOSFET
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 522 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
на замовлення 87312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.32 грн
14+22.61 грн
100+11.42 грн
500+8.75 грн
1000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3413_R1_00001 PJA3413_R1_00001 Panjit FDAA07066E3AD979C7A5E232D07C31777C35B2151B870664EC405039D80242EF.pdf MOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3413_R1_00001 PJA3413.pdf
PJA3413_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.4A; Idm: -13.6A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.4A
Pulsed drain current: -13.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.22 грн
39+10.70 грн
100+7.06 грн
500+5.36 грн
1000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3413_R1_00001 PJA3413.pdf
PJA3413_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 522 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
на замовлення 87312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.32 грн
14+22.61 грн
100+11.42 грн
500+8.75 грн
1000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3413_R1_00001 FDAA07066E3AD979C7A5E232D07C31777C35B2151B870664EC405039D80242EF.pdf
PJA3413_R1_00001
Виробник: Panjit
MOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.