PJA3413_R1_00001 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 522 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.10 грн |
| 6000+ | 5.62 грн |
| 9000+ | 4.86 грн |
| 30000+ | 4.47 грн |
| 75000+ | 3.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJA3413_R1_00001 Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 522 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3.4A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції PJA3413_R1_00001 за ціною від 4.45 грн до 33.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PJA3413_R1_00001 | Виробник : Panjit |
MOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
на замовлення 19587 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PJA3413_R1_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: SOT-23, MOSFET Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3.4A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 522 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 |
на замовлення 87312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|