PJA3415A-AU_R1_000A1

PJA3415A-AU_R1_000A1 Panjit International Inc.


PJA3415A-AU.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3112 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.83 грн
24+13.83 грн
100+6.32 грн
500+5.62 грн
1000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJA3415A-AU_R1_000A1 Panjit International Inc.

Description: SOT-23, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PJA3415A-AU_R1_000A1 за ціною від 3.57 грн до 22.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJA3415A-AU_R1_000A1 PJA3415A-AU_R1_000A1 Виробник : Panjit PJA3415A-AU.pdf MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+22.55 грн
24+14.91 грн
100+5.82 грн
500+5.59 грн
1000+5.20 грн
3000+3.80 грн
6000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415A-AU_R1_000A1 PJA3415A-AU_R1_000A1 Виробник : PanJit Semiconductor PJA3415A-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -18A; 1.25W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -18A
Drain current: -4.5A
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 88mΩ
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415A-AU_R1_000A1 PJA3415A-AU_R1_000A1 Виробник : Panjit International Inc. PJA3415A-AU.pdf Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415A-AU-R1-000A1 PJA3415A-AU-R1-000A1 Виробник : Panjit MOSFETs SOT-23/MOS/SOT/NFET-20TMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415A-AU_R1_000A1 PJA3415A-AU_R1_000A1 Виробник : PanJit Semiconductor PJA3415A-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -18A; 1.25W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -18A
Drain current: -4.5A
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 88mΩ
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.