PJA3415AE_R1_00001

PJA3415AE_R1_00001 Panjit International Inc.


PJA3415AE.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.77 грн
6000+6.72 грн
9000+5.95 грн
15000+5.48 грн
21000+5.34 грн
30000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJA3415AE_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: SOT-23, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PJA3415AE_R1_00001 за ціною від 5.34 грн до 29.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJA3415AE_R1_00001 PJA3415AE_R1_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJA3415AE.pdf Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V
на замовлення 38335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.51 грн
17+18.38 грн
100+9.62 грн
500+8.60 грн
1000+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415AE_R1_00001 PJA3415AE_R1_00001 Виробник : Panjit PJA3415AE-1867273.pdf MOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 57778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.21 грн
18+19.28 грн
100+8.79 грн
1000+7.91 грн
3000+6.81 грн
9000+5.42 грн
24000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415AE-R1-00001 PJA3415AE-R1-00001 Виробник : Panjit PJA3415AE-1867273.pdf MOSFETs SOT23 P CHAN 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.