Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJA3416AE_R1_00001
PJA3416AE_R1_00001

PJA3416AE_R1_00001 Panjit International Inc.

PJA3416AE.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 10 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.97 грн
6000+5.62 грн
9000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJA3416AE_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: SOT-23, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PJA3416AE_R1_00001 за ціною від 6.03 грн до 27.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJA3416AE_R1_00001 PJA3416AE_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3416AE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; Idm: 32A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.22 грн
31+13.68 грн
100+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416AE_R1_00001 PJA3416AE_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3416AE.pdf Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 10 V
на замовлення 29429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.12 грн
17+18.43 грн
100+9.31 грн
500+7.74 грн
1000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416AE_R1_00001 PJA3416AE_R1_00001 Panjit PJA3416AE-1867297.pdf MOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 8210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416AE_R1_00001 PJA3416AE.pdf
PJA3416AE_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; Idm: 32A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.22 грн
31+13.68 грн
100+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416AE_R1_00001 PJA3416AE.pdf
PJA3416AE_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 10 V
на замовлення 29429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.12 грн
17+18.43 грн
100+9.31 грн
500+7.74 грн
1000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416AE_R1_00001 PJA3416AE-1867297.pdf
PJA3416AE_R1_00001
Виробник: Panjit
MOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 8210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.