Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJA3416AE_R1_00001
PJA3416AE_R1_00001

PJA3416AE_R1_00001 Panjit International Inc.

PJA3416AE.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 10 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.56 грн
6000+6.17 грн
9000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJA3416AE_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: SOT-23, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PJA3416AE_R1_00001 за ціною від 4.33 грн до 36.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJA3416AE_R1_00001 PJA3416AE_R1_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJA3416AE.pdf Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 10 V
на замовлення 29429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.81 грн
17+20.26 грн
100+10.23 грн
500+8.51 грн
1000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416AE_R1_00001 PJA3416AE_R1_00001 Виробник : Panjit PJA3416AE-1867297.pdf MOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 8210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.60 грн
17+22.00 грн
100+8.58 грн
1000+6.69 грн
3000+5.12 грн
24000+4.72 грн
45000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416AE_R1_00001 Виробник : PanJit Semiconductor PJA3416AE.pdf PJA3416AE-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.46 грн
189+6.18 грн
520+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416AE-R1-00001 Виробник : Panjit MOSFET SOT-23/MOS/SOT/NFET-20TMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.