Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJA3430_R1_00001
PJA3430_R1_00001

PJA3430_R1_00001 Panjit International Inc.

PJA3430.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 10 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.37 грн
6000+3.04 грн
9000+2.35 грн
15000+2.13 грн
21000+2.04 грн
30000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJA3430_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: SOT-23, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PJA3430_R1_00001 за ціною від 2.87 грн до 22.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJA3430_R1_00001 PJA3430_R1_00001 Виробник : PanJit Semiconductor PJA3430.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Gate charge: 1.8nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+18.66 грн
39+10.24 грн
100+6.41 грн
233+3.97 грн
640+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3430_R1_00001 PJA3430_R1_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJA3430.pdf Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 10 V
на замовлення 38285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.81 грн
29+11.03 грн
100+6.88 грн
500+4.75 грн
1000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3430_R1_00001 PJA3430_R1_00001 Виробник : Panjit AA2B0B9D887C96F6A33F836FAFC33D0890B4C48A111B3EA0F3F4ED5C696BC26F.pdf MOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 7352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+20.47 грн
29+12.17 грн
100+6.65 грн
500+4.91 грн
1000+4.39 грн
3000+3.02 грн
6000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3430_R1_00001 PJA3430_R1_00001 Виробник : PanJit Semiconductor PJA3430.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Gate charge: 1.8nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.39 грн
24+12.76 грн
100+7.69 грн
233+4.76 грн
640+4.51 грн
3000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3430-R1-00001 PJA3430-R1-00001 Виробник : Panjit PJA3430-1867445.pdf MOSFET SOT-23/MOS/SOT/NFET-20TMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.