PJA3430_R1_00001 Panjit International Inc.


PJA3430.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.92 грн
6000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJA3430_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: SOT-23, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PJA3430_R1_00001 за ціною від 4.26 грн до 19.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJA3430_R1_00001 PJA3430_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3430.pdf Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 10 V
на замовлення 6670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.37 грн
27+11.27 грн
100+6.99 грн
500+4.82 грн
1000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3430_R1_00001 PJA3430_R1_00001 Panjit AA2B0B9D887C96F6A33F836FAFC33D0890B4C48A111B3EA0F3F4ED5C696BC26F.pdf MOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 6648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3430_R1_00001 PJA3430.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 10 V
на замовлення 6670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.37 грн
27+11.27 грн
100+6.99 грн
500+4.82 грн
1000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3430_R1_00001 AA2B0B9D887C96F6A33F836FAFC33D0890B4C48A111B3EA0F3F4ED5C696BC26F.pdf
Виробник: Panjit
MOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 6648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.