PJA3430_R1_00001

PJA3430_R1_00001 Panjit International Inc.


PJA3430.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 10 V
на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.56 грн
6000+3.21 грн
9000+2.48 грн
15000+2.25 грн
21000+2.15 грн
30000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJA3430_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: SOT-23, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PJA3430_R1_00001 за ціною від 3.04 грн до 24.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJA3430_R1_00001 PJA3430_R1_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJA3430.pdf Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 10 V
на замовлення 37811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+19.91 грн
29+11.67 грн
100+7.27 грн
500+5.02 грн
1000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3430_R1_00001 PJA3430_R1_00001 Виробник : Panjit AA2B0B9D887C96F6A33F836FAFC33D0890B4C48A111B3EA0F3F4ED5C696BC26F.pdf MOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+21.66 грн
29+12.89 грн
100+7.04 грн
500+5.20 грн
1000+4.64 грн
3000+3.20 грн
6000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3430_R1_00001 Виробник : PanJit Semiconductor PJA3430.pdf PJA3430-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 2551 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.57 грн
233+5.12 грн
640+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3430-R1-00001 PJA3430-R1-00001 Виробник : Panjit PJA3430-1867445.pdf MOSFET SOT-23/MOS/SOT/NFET-20TMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.