Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJA3432_R1_00001
PJA3432_R1_00001

PJA3432_R1_00001 Panjit International Inc.

PJA3432.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4,5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.61 грн
6000+ 2.33 грн
9000+ 2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJA3432_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: SOT-23, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4,5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PJA3432_R1_00001 за ціною від 2.58 грн до 23.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PJA3432_R1_00001 PJA3432_R1_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJA3432.pdf Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4,5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 15 V
на замовлення 27013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.43 грн
19+ 14.52 грн
100+ 7.11 грн
500+ 5.57 грн
1000+ 3.87 грн
Мінімальне замовлення: 14
PJA3432_R1_00001 PJA3432_R1_00001 Виробник : Panjit PJA3432-1867274.pdf MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 33084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+23.66 грн
19+ 16.18 грн
100+ 5.75 грн
1000+ 3.96 грн
3000+ 3.17 грн
9000+ 2.64 грн
24000+ 2.58 грн
Мінімальне замовлення: 14
PJA3432-R1-00001 Виробник : Panjit MOSFET SOT-23/MOS/SOT/NFET-20TMN
товар відсутній