PJA3433-AU_R1_000A1

PJA3433-AU_R1_000A1 Panjit International Inc.


PJA3433-AU.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.19 грн
6000+2.86 грн
9000+2.30 грн
15000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJA3433-AU_R1_000A1 Panjit International Inc.

Description: SOT-23, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PJA3433-AU_R1_000A1 за ціною від 2.39 грн до 18.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJA3433-AU_R1_000A1 PJA3433-AU_R1_000A1 Виробник : PanJit Semiconductor PJA3433-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.97Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+11.40 грн
59+6.43 грн
100+5.67 грн
184+4.84 грн
504+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3433-AU_R1_000A1 PJA3433-AU_R1_000A1 Виробник : PanJit Semiconductor PJA3433-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.97Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -4.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
22+13.68 грн
36+8.01 грн
100+6.80 грн
184+5.81 грн
504+5.53 грн
3000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3433-AU_R1_000A1 PJA3433-AU_R1_000A1 Виробник : Panjit PJA3433-2887517.pdf MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
на замовлення 16973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.93 грн
31+10.93 грн
100+4.28 грн
1000+3.85 грн
3000+2.90 грн
9000+2.47 грн
24000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3433-AU_R1_000A1 PJA3433-AU_R1_000A1 Виробник : Panjit International Inc. PJA3433-AU.pdf Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.05 грн
29+10.51 грн
100+6.52 грн
500+4.50 грн
1000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.