Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJA3434_R1_00001
PJA3434_R1_00001

PJA3434_R1_00001 Panjit International Inc.

PJA3434.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.44 грн
6000+3.05 грн
9000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJA3434_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: SOT-23, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PJA3434_R1_00001 за ціною від 2.38 грн до 19.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJA3434_R1_00001 PJA3434_R1_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJA3434.pdf Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67 pF @ 10 V
на замовлення 9256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+18.91 грн
28+11.15 грн
100+6.96 грн
500+4.81 грн
1000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3434_R1_00001 PJA3434_R1_00001 Виробник : Panjit 2F99FFB91BB5B2295A3889E11C70CCE8399244646229FEAF1D0EBEC9425DDAFB.pdf MOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 5689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.69 грн
28+11.92 грн
100+6.44 грн
500+4.76 грн
1000+4.20 грн
3000+2.52 грн
6000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3434_R1_00001 Виробник : PanJit PJA3434.pdf 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3434-R1-00001 PJA3434-R1-00001 Виробник : Panjit PJA3434-1867299.pdf MOSFETs SOT23 N CHAN 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.