Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJA3435_R1_00001
PJA3435_R1_00001

PJA3435_R1_00001 Panjit International Inc.

PJA3435.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJA3435_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PJA3435_R1_00001 за ціною від 3.46 грн до 25.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJA3435_R1_00001 PJA3435_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3435.pdf Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
на замовлення 7953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.25 грн
28+10.93 грн
50+7.81 грн
100+6.37 грн
500+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3435_R1_00001 PJA3435_R1_00001 Panjit A93ABB042E848C4FC9936791C08EA269C3901DFD157F880F4F2A2A37A755C3B2.pdf MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
16+20.36 грн
35+8.91 грн
100+6.70 грн
500+4.97 грн
3000+3.54 грн
9000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3435_R1_00001 PJA3435_R1_00001 PanJit PJA3435.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -500mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -1A
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 1.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -500mA
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 6Ω
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.60 грн
31+13.75 грн
100+8.90 грн
232+4.18 грн
637+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3435_R1_00001 PJA3435.pdf
PJA3435_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
на замовлення 7953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+18.25 грн
28+10.93 грн
50+7.81 грн
100+6.37 грн
500+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3435_R1_00001 A93ABB042E848C4FC9936791C08EA269C3901DFD157F880F4F2A2A37A755C3B2.pdf
PJA3435_R1_00001
Виробник: Panjit
MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.36 грн
35+8.91 грн
100+6.70 грн
500+4.97 грн
3000+3.54 грн
9000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3435_R1_00001 PJA3435.pdf
PJA3435_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -500mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -1A
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 1.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -500mA
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 6Ω
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.60 грн
31+13.75 грн
100+8.90 грн
232+4.18 грн
637+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.