PJA3439-AU_R1_000A1

PJA3439-AU_R1_000A1 Panjit International Inc.


PJA3439-AU.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4224 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.43 грн
22+14.85 грн
100+9.29 грн
500+6.47 грн
1000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJA3439-AU_R1_000A1 Panjit International Inc.

Description: SOT-23, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PJA3439-AU_R1_000A1 за ціною від 4.02 грн до 32.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJA3439-AU_R1_000A1 PJA3439-AU_R1_000A1 Виробник : PanJit Semiconductor PJA3439-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -300mA
Gate charge: 1.1nC
On-state resistance: 13Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+27.22 грн
26+15.72 грн
100+9.53 грн
219+4.25 грн
600+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3439-AU_R1_000A1 PJA3439-AU_R1_000A1 Виробник : Panjit 1756690645E7B18C3043CCDA2C3E3596CBBF1AA571153B378754E6BBDDBED021.pdf MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.42 грн
22+16.39 грн
100+9.02 грн
500+6.67 грн
1000+5.84 грн
3000+4.09 грн
6000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3439-AU_R1_000A1 PJA3439-AU_R1_000A1 Виробник : PanJit Semiconductor PJA3439-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -300mA
Gate charge: 1.1nC
On-state resistance: 13Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.66 грн
16+19.59 грн
100+11.43 грн
219+5.10 грн
600+4.82 грн
24000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3439-AU_R1_000A1 PJA3439-AU_R1_000A1 Виробник : Panjit International Inc. PJA3439-AU.pdf Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.