PJA3439_R1_00001

PJA3439_R1_00001 Panjit International Inc.


PJA3439.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.41 грн
6000+ 4.06 грн
9000+ 3.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJA3439_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: SOT-23, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V.

Інші пропозиції PJA3439_R1_00001 за ціною від 2.77 грн до 26.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PJA3439_R1_00001 PJA3439_R1_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJA3439.pdf Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V
на замовлення 12109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.29 грн
17+ 16.51 грн
100+ 8.34 грн
500+ 6.38 грн
1000+ 4.74 грн
Мінімальне замовлення: 12
PJA3439_R1_00001 PJA3439_R1_00001 Виробник : Panjit PJA3439-1867333.pdf MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 16046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.51 грн
17+ 18.38 грн
100+ 6.61 грн
1000+ 4.89 грн
3000+ 3.3 грн
9000+ 3.04 грн
45000+ 2.77 грн
Мінімальне замовлення: 12