Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > PJA3440-AU_R1_000A1
PJA3440-AU_R1_000A1

PJA3440-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor

PJA3440-AU.pdf Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.3A; Idm: 17.2A; 1.25W; SOT23
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.8nC
On-state resistance: 51mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 17.2A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
на замовлення 4968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+30.54 грн
23+17.49 грн
100+7.88 грн
132+7.01 грн
363+6.62 грн
500+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJA3440-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor

Description: SOT-23, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PJA3440-AU_R1_000A1 за ціною від 5.90 грн до 36.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJA3440-AU_R1_000A1 PJA3440-AU_R1_000A1 Виробник : Panjit International Inc. PJA3440-AU.pdf Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.54 грн
14+22.84 грн
100+11.51 грн
500+9.57 грн
1000+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3440-AU_R1_000A1 PJA3440-AU_R1_000A1 Виробник : Panjit 1904EFC6ABD2A2E9FDC5F8BD0AD9144AF5C0FB878698626B0BD27CE014B50832.pdf MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+34.93 грн
17+21.13 грн
100+11.64 грн
500+8.70 грн
1000+7.79 грн
3000+6.50 грн
6000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3440-AU_R1_000A1 PJA3440-AU_R1_000A1 Виробник : PanJit Semiconductor PJA3440-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.3A; Idm: 17.2A; 1.25W; SOT23
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.8nC
On-state resistance: 51mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 17.2A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4968 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.64 грн
14+21.79 грн
100+9.45 грн
132+8.41 грн
363+7.94 грн
500+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3440-AU_R1_000A1 PJA3440-AU_R1_000A1 Виробник : Panjit International Inc. PJA3440-AU.pdf Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.