Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJA3471_R1_00001
PJA3471_R1_00001

PJA3471_R1_00001 Panjit International Inc.

PJA3471.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.71 грн
6000+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJA3471_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: SOT-23, MOSFET, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 900mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PJA3471_R1_00001 за ціною від 9.29 грн до 34.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJA3471_R1_00001 PJA3471_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3471.pdf Description: SOT-23, MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.87 грн
13+23.51 грн
100+14.96 грн
500+10.58 грн
1000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3471_R1_00001 PJA3471_R1_00001 Panjit PJA3471-1867386.pdf MOSFETs 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 28319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3471_R1_00001 PJA3471.pdf
PJA3471_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+34.87 грн
13+23.51 грн
100+14.96 грн
500+10.58 грн
1000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3471_R1_00001 PJA3471-1867386.pdf
PJA3471_R1_00001
Виробник: Panjit
MOSFETs 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 28319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.