PJA3476_R1_00001 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 23.25 грн |
| 19+ | 15.97 грн |
| 100+ | 8.06 грн |
| 500+ | 6.17 грн |
| 1000+ | 4.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJA3476_R1_00001 Panjit International Inc.
Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 300mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3.
Інші пропозиції PJA3476_R1_00001
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PJA3476_R1_00001 | Panjit |
MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected |
на замовлення 8195 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PJA3476_R1_00001 |
|
Виробник: Panjit
MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
на замовлення 8195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)