PJA7002H_R1_00001

PJA7002H_R1_00001 Panjit International Inc.


PJA7002H.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.86 грн
6000+1.65 грн
9000+1.50 грн
15000+1.39 грн
21000+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJA7002H_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: SOT-23, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V.

Інші пропозиції PJA7002H_R1_00001 за ціною від 1.25 грн до 15.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJA7002H_R1_00001 PJA7002H_R1_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJA7002H.pdf Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
на замовлення 39365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.35 грн
44+7.05 грн
100+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
PJA7002H_R1_00001 PJA7002H_R1_00001 Виробник : Panjit PJA7002H-1867367.pdf MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 8763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.96 грн
32+10.83 грн
100+4.34 грн
1000+2.50 грн
3000+1.62 грн
9000+1.40 грн
24000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.