PJB120N04V-AU_R2_002A1 Panjit International Inc.


PJB120N04V-AU.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7790 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.92mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+88.89 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJB120N04V-AU_R2_002A1 Panjit International Inc.

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7790 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: TO-263AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.92mOhm @ 90A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 120A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PJB120N04V-AU_R2_002A1 за ціною від 110.37 грн до 250.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PJB120N04V-AU_R2_002A1 Panjit International Inc. PJB120N04V-AU.pdf Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.92mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7790 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.59 грн
10+157.80 грн
100+110.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJB120N04V-AU_R2_002A1 PJB120N04V-AU.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.92mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7790 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+250.59 грн
10+157.80 грн
100+110.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.