PJC138L_R1_00001

PJC138L_R1_00001 Panjit International Inc.


PJC138L.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 15 V
на замовлення 2556 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.69 грн
24+13.26 грн
100+8.90 грн
500+6.43 грн
1000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJC138L_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 200mA, 10V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PJC138L_R1_00001

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJC138L_R1_00001 PJC138L_R1_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJC138L.pdf Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC138L_R1_00001 PJC138L_R1_00001 Виробник : Panjit PJC138L-1869228.pdf MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC138L-R1-00001 PJC138L-R1-00001 Виробник : Panjit PJC138L-1869228.pdf MOSFETs SOT323 N CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.