Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJC7002H_R1_00001
PJC7002H_R1_00001

PJC7002H_R1_00001 Panjit International Inc.

PJC7002H.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.21 грн
21+14.99 грн
100+8.14 грн
500+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJC7002H_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-323, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PJC7002H_R1_00001 за ціною від 4.17 грн до 34.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJC7002H_R1_00001 PJC7002H_R1_00001 Виробник : Panjit PJC7002H-1869085.pdf MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 196-205 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.72 грн
13+25.91 грн
100+12.73 грн
1000+6.47 грн
3000+5.63 грн
9000+4.45 грн
24000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7002H_R1_00001 PJC7002H_R1_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJC7002H.pdf Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.