PJC7401_R1_00001 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.85 грн |
| 6000+ | 6.45 грн |
| 9000+ | 5.71 грн |
| 30000+ | 5.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJC7401_R1_00001 Panjit International Inc.
Description: SOT-323, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 15 V.
Інші пропозиції PJC7401_R1_00001 за ціною від 5.13 грн до 38.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PJC7401_R1_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: SOT-323, MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 15 V |
на замовлення 31458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PJC7401_R1_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 350mW; SOT323 Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.5A On-state resistance: 0.18Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 11nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -6A Mounting: SMD Case: SOT323 |
на замовлення 1845 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PJC7401_R1_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 350mW; SOT323 Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.5A On-state resistance: 0.18Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 11nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -6A Mounting: SMD Case: SOT323 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1845 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PJC7401_R1_00001 | Виробник : Panjit |
MOSFET /C01/TR/7"/HF/3K/SOT-323/MOS/SOT/NFET-30TAMP/NF30TA-QI01/PJ/// |
товару немає в наявності |