Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJC7401_R1_00001
PJC7401_R1_00001

PJC7401_R1_00001 Panjit International Inc.

PJC7401.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.23 грн
6000+6.80 грн
9000+6.02 грн
30000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJC7401_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: SOT-323, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PJC7401_R1_00001 за ціною від 6.60 грн до 42.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJC7401_R1_00001 PJC7401_R1_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJC7401.pdf Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 15 V
на замовлення 31458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.75 грн
15+22.32 грн
100+11.27 грн
500+9.38 грн
1000+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7401_R1_00001 Виробник : PanJit Semiconductor PJC7401.pdf PJC7401-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 205 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.64 грн
166+6.89 грн
453+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7401_R1_00001 PJC7401_R1_00001 Виробник : Panjit 2AC17A1145CAD0AFB07D8600047D80920DB23FC910BE683A45F22205AA4EB979.pdf MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.