Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJC7403_R1_00001
PJC7403_R1_00001

PJC7403_R1_00001 Panjit International Inc.

PJC7403.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 700mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.51 грн
20+15.40 грн
100+10.32 грн
500+7.48 грн
1000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJC7403_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Supplier Device Package: SOT-323, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 700mA, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PJC7403_R1_00001

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJC7403_R1_00001 PJC7403_R1_00001 Panjit International Inc. PJC7403.pdf Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 700mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7403_R1_00001 PJC7403_R1_00001 Panjit PJC7403-1868999.pdf MOSFET /C03/TR/7"/HF/3K/SOT-323/MOS/SOT/NFET-20TAMP/NF20TA-QI01/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7403_R1_00001 PJC7403.pdf
PJC7403_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 700mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7403_R1_00001 PJC7403-1868999.pdf
PJC7403_R1_00001
Виробник: Panjit
MOSFET /C03/TR/7"/HF/3K/SOT-323/MOS/SOT/NFET-20TAMP/NF20TA-QI01/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.