PJC7404_R1_00001 PanJit Semiconductor
Виробник: PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Case: SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4A
Mounting: SMD
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 23.98 грн |
| 27+ | 14.95 грн |
| 100+ | 9.07 грн |
| 179+ | 5.25 грн |
| 491+ | 4.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJC7404_R1_00001 PanJit Semiconductor
Description: SOT-323, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 10 V.
Інші пропозиції PJC7404_R1_00001 за ціною від 4.96 грн до 32.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PJC7404_R1_00001 | Виробник : Panjit |
MOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected |
на замовлення 5672 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PJC7404_R1_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323 Case: SOT323 Drain-source voltage: 20V Drain current: 1A On-state resistance: 0.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 1.6nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 4A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5990 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PJC7404_R1_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: SOT-323, MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 10 V |
на замовлення 7753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PJC7404_R1_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: SOT-323, MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |