PJC7407_R1_00001 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 416 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.80 грн |
| 6000+ | 4.16 грн |
| 9000+ | 3.93 грн |
| 15000+ | 3.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJC7407_R1_00001 Panjit International Inc.
Description: SOT-323, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 416 pF @ 10 V.
Інші пропозиції PJC7407_R1_00001 за ціною від 4.72 грн до 28.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PJC7407_R1_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: SOT-323, MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 416 pF @ 10 V |
на замовлення 18475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PJC7407_R1_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -5.2A; 350mW Mounting: SMD Case: SOT323 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain current: -1.3A Drain-source voltage: -20V Pulsed drain current: -5.2A Gate charge: 5.4nC On-state resistance: 0.2Ω Power dissipation: 0.35W Gate-source voltage: ±12V |
на замовлення 7545 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PJC7407_R1_00001 | Виробник : Panjit |
MOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
на замовлення 122519 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PJC7407_R1_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -5.2A; 350mW Mounting: SMD Case: SOT323 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain current: -1.3A Drain-source voltage: -20V Pulsed drain current: -5.2A Gate charge: 5.4nC On-state resistance: 0.2Ω Power dissipation: 0.35W Gate-source voltage: ±12V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7545 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PJC7407_R1_00001 | Виробник : PanJit |
PJC7407_R1_00001 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|