Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJC7407_R1_00001
PJC7407_R1_00001

PJC7407_R1_00001 Panjit International Inc.

PJC7407.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 416 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.29 грн
6000+3.72 грн
9000+3.51 грн
15000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJC7407_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: SOT-323, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 416 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PJC7407_R1_00001 за ціною від 4.65 грн до 20.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJC7407_R1_00001 PJC7407_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7407.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -5.2A; 350mW
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.3A
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -5.2A
Gate charge: 5.4nC
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 7465 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+8.93 грн
69+6.05 грн
100+5.64 грн
500+5.31 грн
1000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7407_R1_00001 PJC7407_R1_00001 Panjit International Inc. PJC7407.pdf Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 416 pF @ 10 V
на замовлення 18475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.15 грн
25+12.09 грн
100+7.57 грн
500+5.25 грн
1000+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7407_R1_00001 PJC7407_R1_00001 Panjit 2C22EFB3BF9EF2B2BD11D488222EF35F6E6F0D72E86A92983CC8FBBBC1294C47.pdf MOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 121894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7407_R1_00001 PJC7407.pdf
PJC7407_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -5.2A; 350mW
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.3A
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -5.2A
Gate charge: 5.4nC
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 7465 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+8.93 грн
69+6.05 грн
100+5.64 грн
500+5.31 грн
1000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7407_R1_00001 PJC7407.pdf
PJC7407_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 416 pF @ 10 V
на замовлення 18475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.15 грн
25+12.09 грн
100+7.57 грн
500+5.25 грн
1000+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7407_R1_00001 2C22EFB3BF9EF2B2BD11D488222EF35F6E6F0D72E86A92983CC8FBBBC1294C47.pdf
PJC7407_R1_00001
Виробник: Panjit
MOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 121894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.