PJC7438_R1_00001 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 29.63 грн |
| 18+ | 17.65 грн |
| 100+ | 11.16 грн |
| 500+ | 7.82 грн |
| 1000+ | 6.97 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
11 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJC7438_R1_00001 Panjit International Inc.
Description: SOT-323, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V.
Інші пропозиції PJC7438_R1_00001
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
PJC7438_R1_00001 | Panjit International Inc. |
Description: SOT-323, MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
PJC7438_R1_00001 | Panjit |
MOSFETs 50V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
PJC7438-R1-00001 | Panjit |
MOSFET SOT-323/MOS/SOT/NFET-50TAMN |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| PJC7438_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; DFN3333-8 Case: DFN3333-8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate-source voltage: 20V Drain current: 55A Drain-source voltage: 80V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| PJC7438_R1_00001 |
|
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Description: SOT-323, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| PJC7438_R1_00001 |
|
Виробник: Panjit
MOSFETs 50V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
MOSFETs 50V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику
од. на суму грн.
| PJC7438-R1-00001 |
|
Виробник: Panjit
MOSFET SOT-323/MOS/SOT/NFET-50TAMN
MOSFET SOT-323/MOS/SOT/NFET-50TAMN
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PJC7438_R1_00001 |
|
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; DFN3333-8
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 20V
Drain current: 55A
Drain-source voltage: 80V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; DFN3333-8
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 20V
Drain current: 55A
Drain-source voltage: 80V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.